DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
& Y) {8 t1 ~) n* q( [0 l* c1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
/ ?3 \( ?" l/ r5 M   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
6 p* _% N9 O( \* U- r}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
5 E& S0 U5 e( M; c- X/ Y4 L如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
2 C3 {- T, g# v5 q) K- z7 U/ YPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
  f% [9 x% q/ x' g2 l7 sM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
4 k* O/ M+ f" z& X  ?0 e好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子