DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
, h* D) M; w$ M5 ?9 x% Z/ B) q謝謝!!
0 Y- c4 b$ w; U: }6 q) w' \1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
3 P. |# C$ x8 r$ `; _: c1 }, x}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
( h; \# F; f; b}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
1 G2 x! e/ z5 k1 T* W( a( |& Q" b0 GPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
9 u9 b0 l+ W$ O! ^" U4 {- s3 k# [' EM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
. j3 k/ w5 N9 a9 F5 z$ J0 @' V這應該是poly與metal的density的問題....
5 v4 L$ X' X  z' VPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子