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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  p/ ]* F0 C. Z. b; i" g1 @; k# f! i
OD2作用:
+ C" v5 D9 Z& q* O8 N1. 增加阻值
# u6 f$ z! A, P, x, ?5 m7 x2. 防止電流過大而導致元件燒毀- ^: Z: s2 t+ T" h; O. V
3. 通常用於高壓製程上
) y( v0 k* J8 H- `0 L) I2 w7 E
3 C8 ]2 W1 T5 K" d3 m3 pSAB作用:
% E0 Z$ f' ~: Y( C1. 可以用來計算電阻值
7 \% B4 c* c. l  U# ?2. 降低阻值" x2 F6 }3 m0 y6 y
3. 防止LDD的尖端放電
0 A9 O9 V8 i) Q1 v
% P) q7 b; _  F- W9 |) R
4 D( R4 O( H# {% m: f  [以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 F+ @2 w9 V, h; z
6 q& g# @1 A+ K3 d個人的認知與看法!有錯請指點一下!
& R( S  S. n' R' Y, A& s. d6 Q9 Y1 B% l: i
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!9 ^" G4 E, q; o0 K3 ~& z

" b! f0 H  K8 E7 x% E蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!% [3 A6 A: [' S$ a8 }6 U
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
* A+ O; S0 O7 |0 j8 H: @這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ s" s- U, |" ^; s: h( vSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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