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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# S5 `( H- q4 ^7 ?1 _8 z( ~. ^
+ [; u$ ^& T3 {& w# T, HOD2作用:# m; |1 F1 o' u. z/ L
1. 增加阻值/ s0 D+ S5 T! L! m' g7 w
2. 防止電流過大而導致元件燒毀- X% B* ^4 u8 x, U
3. 通常用於高壓製程上
/ W3 q9 P$ q  r; b1 d# p1 I) _5 `8 T; N8 M& c* K! m4 {" y
SAB作用:' {+ F& V/ t4 g
1. 可以用來計算電阻值, R( S( @# U' O) E
2. 降低阻值
0 _" ^+ j2 E* a! M# q* O8 U3. 防止LDD的尖端放電& b! I7 o) |# T2 u6 X/ E* u
+ _. r6 p, y1 I8 z- v7 R3 c
! c  l. v6 y. e5 c- Q1 Q
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 2 V# D$ C+ T) g2 V/ v: \2 C
4 ^+ x: _1 [* Y+ X2 B' D9 {& g8 _) e
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; _' q% i( O! J# j7 [0 J) \
8 x( G6 J1 K2 v0 U; J- t; l# B有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) b0 v* a) b& a) y& n

) r+ y5 k. o+ z; D' e蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!/ v; f' g  ?* p, m' ~
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 F; G9 G; `! x- k$ h
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 D! p- K! G4 }% u
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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