請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
2 l* _0 O) c' L: L& x7 e. _3 i9 Y
3 I+ s4 y" q. R" E) M- I* T$ ^但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
3 G, S; Q) J% a6 f
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

NMOS還在0.75左右

' Z) y; Z9 k! H$ l

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
+ x+ h: s3 Y- X2 p. E- l這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
8 [* D; F3 r0 w9 y4 }  G所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
! G2 h2 z! ]9 }6 l  a/ @- O課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
8 e2 T- Z* W$ Z7 R% |一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
7 b  O4 |. ^/ `: `# R從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

9 |# j& z4 X, A+ Fmodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
. b! M* z! G* g而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
$ C, o* D* i3 ]6 J9 t) G' u; G1 h
4 }! R" i/ `  D+ V: `6 Q"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
3.3v 遠大於 0.7V
其實不用太Care

VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？