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[問題求助] 請問一下mos的臨界電壓vt?

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1#
發表於 2008-3-24 14:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve% i. v6 P0 A0 a  E) r

8 e- Q7 ~# L" ?2 I9 J但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值8 J$ \) Z6 O. E  f, {% }! K
0 f+ j# w: y; _0 w, x
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
) B" p/ t+ P2 @) w. q' J; l: Y" Z$ |
( J& a* o/ Y0 o. o8 j這樣的話大家是怎決定的
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2#
 樓主| 發表於 2008-3-24 15:42:50 | 只看該作者
對了尤其是PMOS,飄移更多
8 r% o8 Z0 M+ X! R
9 t  e# {/ {: MNMOS還在0.75左右
" g! z8 I  r7 f: j1 ~+ e5 z+ V# P* k+ B  b5 ^: o1 e3 i, Y
3#
發表於 2008-3-25 10:22:39 | 只看該作者
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動: {5 h% X6 n& k6 \# }
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U " |1 y) k. M5 _( b
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同- W* R! C. j& ~
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
1 B: V% V4 C/ l4 H, K. o課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣4 {6 {" P7 C$ F  w: l' U
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
4#
發表於 2008-3-29 02:21:40 | 只看該作者
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
5#
發表於 2008-3-29 16:02:15 | 只看該作者
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
7 x7 \/ ^+ K  }" L9 L* \2 p! N氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
0 x* \. u6 k; @4 b從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
! z( L* I( Y5 l
0 B0 v$ u) l' y2 U查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
6#
 樓主| 發表於 2008-4-2 16:07:55 | 只看該作者
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦" C+ {# `: m8 \( }$ N' s( `/ s( e
6 U2 R& _+ _9 `
model file要看哪一項目呢?
7#
發表於 2008-4-3 18:49:10 | 只看該作者
Vt 沒有一定的定義8 r9 j$ C* C* v( |
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題  C$ {6 D6 n# `- c( J& x

, ^' }& V6 A8 A% u% @"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"! W: v2 \' b. @
3.3v 遠大於 0.7V- b8 T' E8 y9 w; ~
其實不用太Care- T8 Z' G+ G  @. _9 l3 T3 T! b
1 H2 u, \. O1 _: x
VT對你的電路真的那麼重要嗎?
8#
發表於 2008-4-8 10:23:34 | 只看該作者

~

所以说模拟电路是感性的~~
9#
發表於 2008-4-11 15:28:02 | 只看該作者
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變,design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
10#
發表於 2015-12-24 19:46:06 | 只看該作者

9 k* @3 d$ C$ s: J" E  N6 F% q感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
11#
發表於 2015-12-24 21:51:41 | 只看該作者
VTH本來就是一個變數,不是嗎?
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