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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻& \* J' T" c+ _
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢, Q& ?4 u6 F8 q* l
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~ 8 A3 r, n) v$ n+ q

0 ~6 ~; ^/ b0 ^& V, L
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
, y- u* ]$ S7 V你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
1 f9 J/ }5 F0 t( {$ {
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,9 N4 Y- n6 g  O/ [+ n' B
# Q8 z3 D: K% u8 h# \
至於說要怎麼設計?
7 k8 I/ c9 ^/ k4 I) [4 f' ?( h  u, V: m$ y4 u. v3 G5 z
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy % l6 y$ h: G! a' B5 F' W

, c( @7 D: ~7 X! ]/ CS/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
8 E( T1 n5 |: J2 C2 e/ H: c0 y4 X  |7 d: S( ^
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
4 j! o$ b9 t+ W7 J3 V" D- D- y. a不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃+ ~% L7 q4 t! c& m  ]. _: d
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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