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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
$ G. y0 J' X2 k' k% `4 l所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢- v+ k  j7 o; {% g/ K: L1 p, R
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
- ^: w3 t! D* @& m: T
3 `$ H" L( p2 S$ S. _+ `
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
& }. ^+ Q& E' }4 ?你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧$ C$ e! q! E) ?0 H' ?
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
4 O0 i7 z. U, [( x  T* u) |$ Q& _5 Q8 ]) ^- d4 ?
至於說要怎麼設計?% U9 B- i: O# R! }3 D& z) f

1 s7 t, F$ ?; M. x& T' i2 z2 {7 a通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy ( m. I& B% ?) \
: m1 \; D7 u7 A
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可- x+ ]6 s4 ?& }# Q$ j* R

) D, ]  h) P, E# K9 i6 A2 }至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
% z0 c, B! Q1 L% x不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
3 T' b: }' E# T5 `但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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