MOS DUMMY大小

s055661

最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
4 r) R5 i$ ^0 g; ^9 d% q所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
8 x7 I4 `. @$ a8 q1 C有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
1 q  V2 o  M$ Q4 u

tony9211

可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
2 T5 x* D5 C  }5 C* a- E你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧

joe1102

補充，Stress spacing 也是考量之一，
. m% ?+ J) J0 b  K/ O  \7 _
8 H. G" E0 h$ o至於說要怎麼設計？

通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
4 ?, O: s  E4 }
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可
' R, X% e  i. o+ F8 C
至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，

huangleelung

詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
但學科觀念到是可以幫助你理解原因