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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 0 H; E) Y& l5 i  {4 ^) l: L
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
7 m0 c0 O2 |. I! g* c. x$ C# ^不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的4 ~# U! c* v2 k( g
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
6 D( D2 x  H) n. r' Z# H# ?基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ9 t" e  q- F9 Q9 S2 L
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
# }9 h4 d4 l3 \3 z% TVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
0 q+ V9 J4 S: _! }+ l/ F電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
8 A, S) _8 `* n& g7 b* r- R6 [/ B
/ J2 W  @& e2 U  \& E打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 + t* O3 i. n9 U$ x6 D6 W3 F
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
8 r2 @. F6 V; e  Q: y3 P- c
9 X: V- l8 C! j( g- B要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
; L' ~0 z" W. B/ f5 ^+ s9 rvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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