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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 7 r7 a* i$ ]8 ~% C8 P9 a
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
5 I) i6 J7 |& Y不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的  F9 E+ L* G0 W4 n+ M) g
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
! d# s9 b/ L) \; \$ z0 k1 h基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
5 t9 X) j$ ~7 U; F% s如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 2 ~* w" P9 Q; n% _
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 / @) U0 ^2 ^, @, ?4 `7 ?0 p
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1 0 L7 E4 m/ t- N9 m, s3 A; p
- O3 T% a2 a6 \1 n* P& ~6 o) ^" D
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 2 k. I+ x# Y8 Y- l
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
  U5 H  I5 G+ g
& O7 w6 a! [$ p! M要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
0 I* p6 _2 a% L( \' kvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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