op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

# I( D  b2 f" }! n! A- R7 E6 z依然還是一樣的錯誤訊息！
: s+ S' d$ ?8 O6 q2 @, X
9 i, m. h8 ~6 t/ mLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
! J) {6 l( r( \; i& x* w1 ^這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
- K' n# G0 S7 X% o; n, X! ^" L- g我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
' V2 a, x; g$ W% F1 m
類比電路果然難理解
  }; d1 s; [9 ~) S2 C& F
希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
# E' q+ i  V8 ~, W' W+ S在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
, n. m. ^% h" r1 F: f
; Q. n! T( V8 |OD是什麼意思？
5 }( [& Y! y3 @/ bP-well不是nmos的p基體嗎？

不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
: Y4 p: d1 q' P% U& [是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
4 [+ P* z. p' b4 I" d( @: y" f. W20um半徑圓內打幾顆P+_contact
& b6 m1 H, {# A0 l7 s& C就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
2 B& y$ K! a+ b5 c/ Y: ~) J. ~' a
* T" l8 M" j) I( l( m3 ]在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
5 m( E2 {9 O' }1 Y' t# I加 N+DIFF ㄉ地方

以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
, N8 T; I- U# {簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
( K% g  N& n7 z4 H8 w$ [6 M9 g* ?( {但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解