op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
$ C, W3 v* M+ ]$ {' g) J# s也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

依然還是一樣的錯誤訊息！
) v# u4 Z, K% q0 H( b
& A* Z9 r* e1 w. nLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
) L. O; G) y2 h1 e( w7 \% C+ O$ p這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
0 J+ U6 k4 T5 z; B+ S我也問過其他老師、他說要拉超過20um
5 r* f3 N  L* N! q但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
7 f3 b( @2 A7 m/ U. G" l2 N2 D
類比電路果然難理解

6 M, m$ k, y5 t# a/ u3 g希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
5 {) U. c7 v" D
這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
' h' K& E4 o, J+ B3 ?8 w
8 ]' o0 K. U1 m9 N( x' w  [OD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？

不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
9 K4 t: A5 g& `. U) e  O是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
2 t3 x& P4 k: Q就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
# `# i: d) d; |9 T2 Y4 K要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
- L" Z6 r4 t( w- J+ o加 N+DIFF ㄉ地方
2 C& u3 [# w! ]6 D. H. `
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
3 ^+ z7 w8 O5 E. }就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
. C. U3 A6 r; D, z  E簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
& n- }7 g* {6 i7 `! z$ I這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解