DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
9 N( N+ Y1 T3 f! a- k3 o謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
0 l, o) ?: B% w. F8 `' H   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
7 [3 l1 Y* }3 J如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
4 }9 E4 @0 P/ }2 K$ F& ]6 G) O! {PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
( |# e5 N6 M) XM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
$ h! X, K- A! F2 f$ I這應該是poly與metal的density的問題....
: p% O' \/ R- D4 t9 ePO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
: z( M5 F0 L: ^' `/ |' a) m. K- r" J& RM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
8 U+ j: i6 j1 C( @' ^7 m好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子