用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
$ K* s  @* o; i' k請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
2 h& V  Q! l) A9 S7 [2 H' d也就是長在NWELL裡的NMOS,
  Q3 i" n! T7 I/ X. w( a& ]* Ospice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

; X% ~" D# a/ i( X7 M7 @0 [) I; k" Q哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
5 e$ A! g% T. t3 x$ w.print CGG=LX18(mn1)
- n6 r6 ~' H3 i.dc vin 0 5 0.1
....
% J7 R( N$ J& ]- A! n: Y5 e8 B, t.....
.......
/ `4 |, I4 n: V.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

5 ^" s$ v2 Q. F$ [1 s* H2 N對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
. a4 w: T' S) M$ Q8 R我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
, M. [6 L  _! P( X$ ?& O而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

: B* B7 _  c# S+ u( v% n比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值