請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
, Q, n& L  Y+ v0 O! G" m5 d8 g
% d, ?4 ~& d* ]- X3 z! g+ l# l# ?但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值

: e* o. K: Y6 y供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

2 g+ y; Q8 H; b0 [這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

- S  k- T# o# K% ^6 h8 g4 s: UNMOS還在0.75左右
: R+ q1 A& ?  i
% @. s% g  x8 O

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
8 M& S! K( ]& C5 \一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
& s+ D+ K: @& l: z, C氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
1 v2 m, _& v6 y$ G3 v
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

model file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
5 L' e* d' A' S6 G9 P- y) R. s而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
  M' i- o+ L( O0 i7 v: z3.3v 遠大於 0.7V
5 }0 M" v, C8 v, l; n0 g  R其實不用太Care
: r/ u. h6 C& A, H: j' ^+ _
. I4 g4 ^$ K* x" a4 ?VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

( H* H0 C* g9 b1 T, a! I5 j感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？