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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?" r0 S: v/ W5 X# g7 N  F9 }. M+ b
我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,
& l" ~' R- g# T% {, _$ a# C模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!1 B; f0 m$ |/ I# |- E/ K- d
. f$ ]3 k& B% P. n$ ^4 H8 w- H
有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !0 y/ N2 \2 c! \7 \3 z0 U
thanks all
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2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。
( @2 X: N; p' Z9 N我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。
% x- `4 h1 o% N下面是找到的一个公式,是否有用?8 M+ N4 C8 Q" ]3 [8 A/ {
5 e. @! Z. O$ k1 c, c  H
还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?4 {% Y; v5 E1 N0 `+ h7 g' W
这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算: o6 s3 D. G  t$ A# K
因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣
$ Q4 H. h: f! `若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的9 d/ B8 R" O' w' l2 q
而且,還要考慮到mask誤差的問題
# e; `# v' u( I; ?9 d0 b另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
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