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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?
6 \$ c5 E) @7 S6 H5 x* j8 x我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,) Y% c6 M2 n8 o+ t1 D1 v
模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!* b- e8 {! X% [2 k+ v
) d& _* a. r8 s; R' S1 E
有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !
* b: M* `8 m: K* ]+ Jthanks all
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2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。  u- D, e3 E$ b' ^$ N; m" R& j2 `1 X
我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。- p% Q, f" E4 P6 {
下面是找到的一个公式,是否有用?
; F! [8 o" B: Y; u$ k, X4 M
' @+ f# N/ o! P" \+ U7 t还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
  w; |& O& r6 j1 X0 E- W" N9 t" e这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算0 b: q) g% ^8 l
因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣( y; @( G. F' C  D/ n2 G% `/ {& }
若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的
" d4 e. `7 g0 D- y$ b% y) a而且,還要考慮到mask誤差的問題/ G& f4 U2 D& j5 }3 L
另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
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