用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
3 c# |$ g7 [% V) ^! d: I
' l" W$ }0 a% o) A$ B% [6 z. V1 k感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
" ]$ z3 y' K$ D8 D9 joxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
! x( c- U6 k9 E2 E/ y3 ]可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
. _9 Y- x  {2 a5 Y/ D9 g也就是長在NWELL裡的NMOS,
: q  l( Z2 Q) E! aspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
8 b6 Q$ i& b5 [4 N使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
/ Q( d9 r: Q' U, {$ V; x. [  l.....
.......
. F' q) z, T- K  ?4 \, P, l8 @.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
9 v+ @7 O/ R& ~/ J& S" m: m9 i
. s. C; {3 L+ W; J2 L對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
" ^. P- j/ v, a6 e3 Z- r% ]' D我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值