DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
$ a+ t) J, r, q+ P, J& j7 U   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
0 @; `4 T0 `. N# m# `   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
  n& j# c4 _, K+ ~}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
2 O; g3 [& |8 @4 r. h% ^% r如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
4 M) k: I( z5 G& dM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
( b0 r4 C- p# u, o! |$ q( T: Q. t) R# EM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
% g9 r: }, d! x+ {2 U3 s7 ePO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
5 B8 u2 s' c1 r+ u" Z1 sM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子