請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
1 [. W) R* [0 n
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
! k, P) D5 {- L3 r7 i9 |& z# V* P4 D
8 [) L0 S; Q  W& _供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
% J5 q. p, Z' I% o+ F+ @. N
8 E  o2 c; y) B+ }# m$ S: [這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多
. _( l. j' y' o3 P# v- F# O) h
NMOS還在0.75左右
5 j( C, I5 x+ @+ ~
: P) h/ i2 F4 G, S/ E

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
& k6 l4 \0 W3 q  C3 @7 ^課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
) d. \. x) e# u) w1 i. r" m一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
6 x) d( y0 [! d0 l; V/ H0 \7 ~從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
+ d# t$ o8 e9 }/ P5 W: ?, _
6 N6 X2 |# M& omodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
' U$ p- ?9 x" t- V% m而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

; `$ ~- Q5 K; c. T4 |" f"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
) t1 U* i1 K4 N$ T( p. s6 ~3.3v 遠大於 0.7V
5 S2 H0 V( ~+ V7 q+ c其實不用太Care

9 L7 [( u$ F; I/ T) @VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？