TSMC 0.18um 電阻精準度問題

respect11223 · 發表於 2011-1-8 16:09:52

我最近剛接觸TSMC 0.18um製程，想在電路裡面製作一個較精確的電阻
這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用，大小是數個kohm

目前查過製程文件資料，發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小
p+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)
p+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)
n+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)

但是查了一下先前論壇上的文章，似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??
可以請各位前輩說明一下嗎？

另，如果想要使用這些電阻做為resistive load，是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?
感謝回答。

shangyi · 發表於 2011-1-11 11:18:29

絕對阻值用diff
相對阻值用poly
面積考量用 p+diff or poly
溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
diff 電壓考量用 n+

hisanick · 發表於 2011-1-11 15:48:37

回復 2# shangyi

可以請大大開示一下嗎??
這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道

關於製程我一俏不通。

franklu1227 · 發表於 2011-1-12 21:40:58

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

franklu1227 · 發表於 2011-1-12 21:41:04

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

cyan215 · 發表於 2011-11-2 11:17:56

shangyi大大所述很具有參考價值~

謝謝分享~

wacsula · 發表於 2012-2-18 11:57:27

感謝shangyi 大分享

獲益良多

aircraft · 發表於 2012-3-13 13:18:04

感謝shangyi 大分享
6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多

filterlife · 發表於 2012-4-11 23:29:01

自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~

ziv0819 · 發表於 2012-4-19 11:12:17

我只能提供
poly製程漂移大約是20%
所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔！

chang707070 · 發表於 2013-10-13 13:50:52

絕對阻值用diff
相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k
面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
diff 電壓考量用 n+

請問這些考量是如何得知的?
很好奇
我家都是POLY

kanchiam · 發表於 2013-12-5 16:48:33

poly比較不會有實際運用的問題..
diff和od阻值易受body的影響

林阿呆呆 · 發表於 2021-7-31 18:17:37

謝謝分享謝謝分享謝謝分享

nyy34345 · 發表於 2021-8-19 00:15:02

謝謝分享謝謝分享謝謝分享

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[問題求助] TSMC 0.18um 電阻精準度問題

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