TSMC 0.18um 電阻精準度問題

respect11223

我最近剛接觸TSMC 0.18um製程，想在電路裡面製作一個較精確的電阻
' P+ t/ q. G6 E& }這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用，大小是數個kohm

- A, I2 L4 Q$ ^5 o# M3 Y- E目前查過製程文件資料，發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小
p+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)
p+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)
n+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)
+ V/ T; _) C; B) x# a3 k3 Z7 N
但是查了一下先前論壇上的文章，似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??
可以請各位前輩說明一下嗎？
# N- y6 i2 P) l8 O, M; d
$ i3 @) F  {# V- R) p6 ~另，如果想要使用這些電阻做為resistive load，是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?
感謝回答。

shangyi

絕對阻值用diff
相對阻值用poly
- m( L- J& ^4 ^4 t1 U  @0 ^面積考量用 p+diff or poly
" |9 D; P: r! L  r1 j' f- @溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
diff 電壓考量用 n+

hisanick

回復 2# shangyi
3 H3 h7 g" H! `7 m# {1 [  J
8 J% E) h" j) z  H. @8 m; B" F
    可以請大大開示一下嗎??
! m3 s/ L1 B1 b5 d& r這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道
. A& x% V& _1 C3 _  o( Y7 E  p關於製程我一俏不通。

franklu1227

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

franklu1227

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

cyan215

shangyi大大所述很具有參考價值~

1 k) N1 d* w: Y; g謝謝分享~

wacsula

感謝shangyi 大分享
% ^1 r0 _: @1 c! Y9 M& ~獲益良多

aircraft

感謝shangyi 大分享
1 j4 W3 A4 @1 v: Z6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多

filterlife

自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~

ziv0819

我只能提供
" x% i' e1 w  l/ l1 m3 k3 ?$ j- |poly製程漂移大約是20%
4 z4 \1 S9 q! \5 V  B. I所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔！

chang707070

絕對阻值用diff
+ a* [2 t! @% @6 c+ N1 m6 u相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k
* ]3 k( r2 b2 P4 |5 F; A7 Q7 @面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
2 Z3 A! I1 v4 m溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
/ W$ s- {# l7 N; N- A1 G$ O8 Fdiff 電壓考量用 n+

請問這些考量是如何得知的?
很好奇
我家都是POLY

kanchiam

poly比較不會有實際運用的問題..
1 W! `3 g* k+ }, gdiff和od阻值易受body的影響

林阿呆呆

謝謝分享謝謝分享謝謝分享

nyy34345

謝謝分享謝謝分享謝謝分享