市場上最小的快閃記憶體晶片

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意法半導體（ST）推出市場上裸晶片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm Multi-Level Cell (MLC) NOR 快閃記憶體
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65nm MLC技術能夠將量大的90nm PR 系列NOR快閃記憶體產品順利的升級，擁有更高的容量和更佳的性能

(台北訊 , 2007年2月27日）—意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)為全球手機快閃記憶體解決方案的領導供應商，宣佈推出 65nm PR系列NOR快閃記憶體產品。 基於第四代multi-level cell (MLC) 技術，65nm PR系列快閃記憶體的軟硬體可完全相容於現有的90nm PR系列NOR快閃記憶體，並提供更高的記憶體容量和更佳的性能，為客戶提供一條簡單的系統升級途徑。

1 ^) @- f  y# t為滿足行動應用市場對高解析度相機、多媒體內容和快速網際網路連結的需求，ST新推出的65nm PR系列產品的burst讀取速度可達133MHz，編程速度可達每秒1.0-Mbyte，並採用1.8V工作電壓提供deep power down模式。 這個先進的NOR快閃記憶體系列產品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND以共享 bus或分隔bus的配置組裝在一起，並採用多晶片封裝（Multi-Chip Package, MCP)和層疊封裝（Package –on – Package, PoP) 的封裝技術。
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「透過65nm製程微影技術(lithography)的達成，意法半導體提供了一個極具競爭力的解決方案，為OEM客戶從事高容量NOR快閃記憶體解決方案設計增加了一項選擇。」Semiconductor　Insights記憶體產品首席分析師Geoff MacGillivray表示，「與主要競爭產品相比，裸晶片尺寸為50.8平方公釐的ST　1-Gbit MLC NOR快閃記憶體是市場上最小的快閃記憶體晶片，創下每平方公釐 20.16-Mbit的最高密度。其cell的尺寸也非常的小，僅為0.042µm2 。」

: z8 K; ^' Q- R4 Q# l「1 gigabit單晶片記憶體採用65nm multi-level cell製造技術，有助於提高系統的性能，並提供最終用戶更好的體驗。」意法半導體無線NOR快閃記憶體產品部副總裁兼總經理Marco Dallabora表示，「同時， 512-Mbit 65nm NOR快閃記憶體可將ST 90nm PR系列產品輕易的升級，且目前該晶片已整合到被驗證過的高性能平台內。」

65nm PR系列是意法半導體與英特爾於2005年12月宣布的合作計劃的一部分，這項目前還在進行的合作計劃將為客戶提供最新的高性能產品，並提供多貨源的靈活性。

新產品樣片現已上市，預定於2007年上半年開始量產。