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市場上最小的快閃記憶體晶片

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發表於 2007-2-27 21:02:04 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
意法半導體(ST)推出市場上裸晶片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm Multi-Level Cell (MLC) NOR 快閃記憶體
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65nm MLC技術能夠將量大的90nm PR 系列NOR快閃記憶體產品順利的升級,擁有更高的容量和更佳的性能 . Q: v# H" C" c1 y) X
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(台北訊 , 2007年2月27日)—意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)為全球手機快閃記憶體解決方案的領導供應商,宣佈推出 65nm PR系列NOR快閃記憶體產品。 基於第四代multi-level cell (MLC) 技術,65nm PR系列快閃記憶體的軟硬體可完全相容於現有的90nm PR系列NOR快閃記憶體,並提供更高的記憶體容量和更佳的性能,為客戶提供一條簡單的系統升級途徑。 . _  \; N( ?& M% V7 d

" C1 }  R: A; C; ^2 h9 Q* ?7 i4 A為滿足行動應用市場對高解析度相機、多媒體內容和快速網際網路連結的需求,ST新推出的65nm PR系列產品的burst讀取速度可達133MHz,編程速度可達每秒1.0-Mbyte,並採用1.8V工作電壓提供deep power down模式。 這個先進的NOR快閃記憶體系列產品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND以共享 bus或分隔bus的配置組裝在一起,並採用多晶片封裝(Multi-Chip Package, MCP)和層疊封裝(Package –on – Package, PoP) 的封裝技術。
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8 [0 O/ f' \- A& z$ P" N  C7 c4 U「透過65nm製程微影技術(lithography)的達成,意法半導體提供了一個極具競爭力的解決方案,為OEM客戶從事高容量NOR快閃記憶體解決方案設計增加了一項選擇。」Semiconductor Insights記憶體產品首席分析師Geoff MacGillivray表示,「與主要競爭產品相比,裸晶片尺寸為50.8平方公釐的ST 1-Gbit MLC NOR快閃記憶體是市場上最小的快閃記憶體晶片,創下每平方公釐 20.16-Mbit的最高密度。其cell的尺寸也非常的小,僅為0.042µm2 。」' l6 I: N1 g2 u% Q9 Q5 {7 F

3 x$ F- y, ~) J6 y; X「1 gigabit單晶片記憶體採用65nm multi-level cell製造技術,有助於提高系統的性能,並提供最終用戶更好的體驗。」意法半導體無線NOR快閃記憶體產品部副總裁兼總經理Marco Dallabora表示,「同時, 512-Mbit 65nm NOR快閃記憶體可將ST 90nm PR系列產品輕易的升級,且目前該晶片已整合到被驗證過的高性能平台內。」
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65nm PR系列是意法半導體與英特爾於2005年12月宣布的合作計劃的一部分,這項目前還在進行的合作計劃將為客戶提供最新的高性能產品,並提供多貨源的靈活性。 8 z( V" f6 l7 p5 h' `6 ]- r
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新產品樣片現已上市,預定於2007年上半年開始量產。

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