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同意樓上ㄉ看法) [# T" I/ K; O/ g' z/ ]
粉多時候是經驗值4 W; l+ y/ O1 H; y
ESD mos
! J" _# [8 u) d) O9 c9 f. T: l1. poly width 選定) h0 Q( {1 x, \
2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右" m( Y/ k1 A& @2 |5 n9 M6 S! e, S
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1. D8 z: K) x; F) o* z+ m
4. P/N mos 的距離# P1 d/ q, a5 I1 n0 c( e! A4 r
5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度' Y% q/ o" O; A$ F
6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ3 e5 L, x0 P2 w4 ?* r
7. P/N mos width 的選定! t! B4 a6 U3 h5 a; M/ T1 ~" A
補充一點
& F$ o8 `3 E8 X6 Y. m8 z8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
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