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同意樓上ㄉ看法
% t: s* D9 `* G- ~粉多時候是經驗值2 t, ~0 h' P3 e$ J
ESD mos
. t# F: U2 F' k- q( E1. poly width 選定& E# _& \: w9 [3 f3 n
2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右
$ D; O8 x4 e7 ^3 m# d7 y1 ?5 \3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:11 C3 i! W$ M- `: o8 ~# H3 N
4. P/N mos 的距離
3 b4 k9 R7 Z$ l' ~- \5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度- N7 D! Z# B- F8 ~' A3 R& z- l% m# P
6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ
8 r3 _5 z. b8 D1 Z, [* r& L" {7. P/N mos width 的選定# N) d/ S* p0 C5 }8 {8 p' ^
補充一點9 q% ]! n: \8 Q( F3 J3 p, {, d
8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
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