deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時

4 ]# E, b6 y4 e發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
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我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
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( d+ ^8 A8 Y% }3 a2 K2 U/ ]3 N( w而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
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$ r& Y7 l0 a; f2 F4 h8 p- Q' d在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道

" K* F. z# v) n+ h% ]- l/ w它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地

那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電

路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer
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3 o( i2 g3 j" p0 b; r  N6 @; b一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

7 R' g$ k  u2 f那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)

( _$ n# O$ T3 d) w5 C) m3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
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而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
" B  [0 M& d0 L/ S可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
) X& B9 H* f% Z& V% H如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
0 L, p( I3 h$ N& ?: |有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的