deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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  i' J) }' @% c9 W6 H& i/ B% w5 V發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
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我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
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而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
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* w( O6 o. z# e  j& [在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
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它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
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7 k8 i, d+ v. T7 n' t. E那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
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  @7 c# }. V5 _& C+ ~路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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- \2 \: f% X. B- Jdeep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

, S* K' }. }" T$ A- S一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
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' L% j9 w* s+ u, v' B那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)

3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？

而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
4 S( |: Z) l, W$ r' q$ |0 i( v過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
; F1 n3 h! _7 y/ S! k* b4 q: z上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的