LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
. D- Q) Q: t3 {: T一般做LC tank VCO時  
4 g; P3 Z: W/ c通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???
2 F2 a8 b+ V9 g/ m9 @& \
雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
4 i- O1 ~+ |8 M  K$ ?5 N+ Z想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)
, [. ^: ]/ \8 s  ~
, a5 v9 t* M# |- K# k想問有經驗的人
在各方面trade off  後  
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
7 ~2 u* N6 A: v3 U                                                   謝謝指教~  Orz
' i! ^( ], w3 L/ }& U7 y9 u
[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？

tom918273

你可以參考IEEE
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
他有畫一張比較圖在1MHz時
; l5 x# h8 e5 `. t: QPhase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
) H- J4 c7 M" E) z( G: LNMOS：看起來約為-115dBc/Hz
  u; U% W! ], NPMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點