LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
一般做LC tank VCO時  
6 P! e: ~  D' o3 G$ O: ^7 E" j通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???
  T! I* a$ [7 O, Y* _
. O( v) n7 P" U- ?雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
1 ?( B7 F2 B/ W& x想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)

7 u, A6 @( H( ^8 M% r! J想問有經驗的人
在各方面trade off  後  
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
# i3 X* ]2 E- h  D  ]9 S& K: O                                                   謝謝指教~  Orz

[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？

tom918273

你可以參考IEEE
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
他有畫一張比較圖在1MHz時
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
NMOS：看起來約為-115dBc/Hz
PMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點