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[創新研發] Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

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發表於 2007-3-1 18:00:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards
; J* k9 s: ^& f9 ]: l; dMPR Innovation Award: Razor 6 [0 c1 c, e1 k* w8 ^6 E. Z
MPR Innovation Award: Eutecus+ S* ~% ]5 {  x8 y$ w6 M, ^
MPR Innovation Award: High-k
) A# V/ m; e) qMPR Innovation Award: Planet82's SMPD
3 q5 e4 I; v  `* A5 p( BMPR Innovation Award: Ambric
9 }, x9 o1 D* u' B6 h: O. x; iMPR Innovation Award: ARM996HS # D0 a/ H% Y! Y1 B5 P' D
MPR Innovation Award: MRAM 2 |  [6 F9 o& p: M8 o
MPR Innovation Award: Intel Core; c' Y, v, u- \' y7 m6 P& Q
" Q" W$ {( {; ^+ H$ e7 e8 U" M$ C. N
飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項
) }, I* v* [2 U5 F( {MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定 1 J  Y; \  X* J2 v! K

9 L2 ~. h, F5 a3 m- q2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。1 q" d( \, O2 d: l4 T. Z& Q8 X0 t
1 h: X4 z; n: D( {% C' c
MR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。  [& D  k" w$ F6 a$ \* Y3 }# `
" k8 |% J+ R* |7 ?$ V
飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」 7 F' q6 J% V9 w$ r8 ^& S% b
8 N3 V, h: a8 w6 H$ C
獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。
6 _! o9 Z* Z3 s
: x! M5 S8 C! B有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html
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[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]
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