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老實說,
( Y8 r* L( n6 @- ]1 K. Y你問的問題很廣,
; k+ D- }( v& @$ a會根據不一樣的條件,. x) i3 Y5 J+ S1 B
而有不同的答案。
7 K1 f3 H' X2 @; W2 E! A7 s! k6 C2 j4 v( I8 Z* l
以nmos,body=source=ground的例子來說,4 X# e8 ~. b5 C
/ h1 P; _5 G% N" h& _: t' Z) B
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
% Q! P8 f6 M- D4 W如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
* ?7 g+ b8 f; }一般來說,應該不會,9 t, O) G# h5 R o) S' X
因為SiO2的critical electric field滿大的,
$ Z- ]$ L$ \3 F2 T. R/ _# j4 `3.3V device gate oxide還滿厚的。( ] n; u" Q* i7 a$ w# b8 s
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
* Y2 D3 i1 {% _3 v5 F這個值通常很大,5 a6 u$ ]0 X9 j0 V; Z% S
因為body=source=ground。 {, [, v# C: c" B. y4 E; N
另外,如果channel length比較短,2 Z2 d5 l, T& _
這個值 "可能" 會跟channel length有關,
: D' W; Y& I c' k$ k, H# S但如果channel length大到某種程度後,4 v# Q p! `5 S/ P
應該也沒影響力了。
/ Y; s( J5 Q6 E
; J+ n* Z6 ~4 j3 `0 k/ x(2) 如果gate=bias voltage,0 L% ?0 e, B1 {8 L Z, m& s: b
這顆nmos可能當current source使用,6 a# u! A0 p- F% H. x8 }5 D; U
這時候就要考慮其hot-electron的效應,
. Y' F8 {( w5 \7 J因為單位面積的current可能滿大的,
: G, t6 u4 T% Y* A而vgd也不小。( f+ R, n* M1 h: z5 A# H- \- g
g0 ^* ^7 w8 @% c, c' t( A(3) 如果gate=darin=high-voltage,
! O6 `/ \2 Z- J; C6 V5 j這樣的單位電流會大到不行吧!, j) J, y7 B0 L& w, i
Id = kn'W/L * (vgs-vt)28 N+ h, p# ~7 \1 S
7 W! P6 I. O# t1 @: }# I
所以通常是case2會是要考慮的問題,4 T+ \/ Q/ Y0 ^2 [% z$ O: c! y2 ~
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
# w. T# l! Y7 U) Y S; `n.n |
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