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[問題求助] 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

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1#
發表於 2010-4-12 18:07:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
若是NMOS做的電容' S; R! s  z  ?; b6 ?7 P6 R
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態6 M5 g6 G4 H/ ?! [/ H: y$ V
1,通道未型成時0 h* {+ K0 ~* u
2,三極管區  ]  B6 V+ x& q" \' a' O- l) S
3,飽和區
, ^! f# |* I" @  N; C但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
( M0 H/ p/ C: c這樣是操作在哪一狀態呢???
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5#
發表於 2010-5-28 00:17:31 | 只看該作者
example for NMOS :+ k( }  O) z+ |# M, K
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion- E; T) o) o9 }0 S& n6 j
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation+ @' y# M0 ?" y1 s, n4 _6 x

: b; w2 g0 W8 t0 ?! ?You can see Razavi Chap2 pp. 39; s. c0 i* W: a& J; Q. V" M
Good Luck ~ !
4#
發表於 2010-5-5 11:01:14 | 只看該作者
工作在反型层 状态
3#
發表於 2010-5-5 10:56:09 | 只看該作者
通常應該是工作在  (2,三極管區),因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起,Vgs=Vgd,所以是在三極管區,在電路設計上,MOS電容通常是由W和L的面積算出來的,但會非常不準,通常是用在穩壓用,而且在不同的電壓時,電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章),要大於Vth後電容值才會較穩定,且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。
2#
發表於 2010-5-3 20:21:49 | 只看該作者
3,飽和區2 @3 L3 K9 e0 W1 h1 h0 E" U/ f7 H
通常 depletion 都要形成,電容值才會穩定) S4 r6 }  N; F, G) _
所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
* r" S  h. h8 A7 P0 i$ m如果想要使用雙向電容的話,可以用 barrier N+ , let mos always turn on.
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