請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
4 J" m! \: V& d) q4 o8 Z上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
7 t0 V6 h' N9 H( D% u4 a) W1,通道未型成時
# v/ p+ _9 H- u2 r% U+ z+ c" E- s2,三極管區
3,飽和區
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
這樣是操作在哪一狀態呢???

kkk000777

3,飽和區
/ Q- A3 i! u& _1 c通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
  z7 B: a0 \2 @! A$ H所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
/ @5 [4 u7 d' R# P. }9 b如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

semico_ljj

工作在反型层 状态

chungming

example for NMOS :
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
) O* c6 `* Q' Y1 X: d$ uVg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
- C7 j+ L( w9 z1 x+ Q; Y7 O
- g, Q3 q0 ^; I$ l% s  cYou can see Razavi Chap2 pp. 39
Good Luck ~ !