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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
8 A- i2 s5 e9 P0 o5 T, [6 E; e4 a3 k$ u$ r. r

! O& g/ v! B, m: v近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。# i7 Q0 m2 z2 l5 C4 ^; B& l
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
0 K% P7 b! G( ?# t: O9 D但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
' K4 V6 u% h7 e) g迷惑中....
; q; Z3 @$ w' E% T6 v如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?$ o- f- B' d* s4 k) e4 ~

0 \/ i% i) O- c. x' [

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
; m+ q4 ~2 q1 m! T6 I. H6 n
" Q( ?& x3 k0 k) f. {( m" x個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,3 r: g# K" C. m$ \+ f7 K( P# c
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,7 g: Y2 b! |; b9 n7 Q
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,# i5 h, Z8 c# S6 D! ~+ F  Z& L
這也是現實上要考量的. 3 O" @0 c- ]: F, c9 r1 H

4 f. \8 \4 O; d: R- d) z0 W8 n一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
( s$ i) D" O) \不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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