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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 ! t6 I6 M2 T" g: ?3 U
, B' B5 o  o+ ~4 S, s

' j% c# E  q2 ~3 L近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
1 C* z  t8 g  A0 l! q0 q查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。5 v" J  u9 `0 o# t4 W2 D# d
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
; B% Y2 ?7 X) [$ T( i( w+ B' u+ L迷惑中....
- F9 T( U: h' C  M, e如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?  q& @( Y6 {! B9 A7 ?' n6 j
: ?2 f9 _. V! f4 l/ }* I

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?: `+ s  J) l- {4 R

+ ~$ u* u( Z# t# p8 p- H, c7 ^個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,* A1 V& [: F$ f
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
  E, Q. k  ]* {5 I7 c, O1 _9 y有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
( I6 Y/ d; W- P+ y這也是現實上要考量的. " s/ `4 w( x% B/ A, n5 D+ ], p

6 J. T/ C) x3 V$ ~, H' \3 p0 h一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
) N. C# n8 E3 g# N9 Z不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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