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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?) h7 h) ^% G; X7 l( h. M
我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,# C' J, N  E. e8 O( y  u8 |! O
模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!5 h' _' }8 Z0 S2 K5 s

1 M# T9 X; A/ U$ Q+ t/ b8 m有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !
6 S' A5 m; O, F' m/ t1 pthanks all
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5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算
: P8 r  b7 x3 S因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣% i/ {5 ^" @" q( v! [
若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的4 X+ P" M% y, P. _. y3 h
而且,還要考慮到mask誤差的問題2 u# q% ]  t4 Y2 r! X8 ~& i7 y3 b
另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。
: z9 h; Y% u( @! x1 K# A我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。) T5 \6 v  T2 z) c3 r
下面是找到的一个公式,是否有用?8 A3 ?4 t* R" G8 }
# m4 G! s# q. S# x9 g- s5 {0 [
还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
  @; c' u& c4 b8 r3 Z( Q这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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