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老實說,
) m( ^* o, F2 U; S. r# z你問的問題很廣,' f- i! I+ r5 h# Z- f2 V% R4 y3 n
會根據不一樣的條件,! f- b7 y- m9 K# y3 |- `. K; f$ c
而有不同的答案。
( ^# t: i4 T+ @. i+ p7 a1 e8 O3 r2 X4 O7 Q9 p: V
以nmos,body=source=ground的例子來說," `: i1 ^! r' n. R" }9 `9 Z
$ _% I! y7 N* Q4 O& t, `
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
$ n& o$ V3 t4 e) j; B6 f, }8 B如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,6 k, f4 d' C. M' f9 C5 D
一般來說,應該不會,1 `: T! `4 \% s; @* @8 g+ |1 `9 Q' v
因為SiO2的critical electric field滿大的,+ G* b( `& V. _ \. Y% b X
3.3V device gate oxide還滿厚的。
4 [1 c0 Q( C0 H! H9 u5 |2 evds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,; A- P9 Q$ L- n/ l4 u# i' d
這個值通常很大,5 O0 ?' A7 X/ V( g) P7 e
因為body=source=ground。4 H4 n$ P$ |$ U8 o3 U, l7 F/ `3 q, l5 V
另外,如果channel length比較短,
2 |0 m# |/ Q1 n4 ]- D6 Q這個值 "可能" 會跟channel length有關,' p) I& w8 Z+ m5 u$ n8 S
但如果channel length大到某種程度後,
2 ]" Y1 D+ _0 A應該也沒影響力了。, R1 V0 b {1 Z1 \) G% k* q
# u! L1 g7 h8 F6 ^* w
(2) 如果gate=bias voltage,- L9 t2 g5 k. c, t1 B ] r
這顆nmos可能當current source使用,
- Z7 e2 G0 i# [: l0 X' d3 \9 d8 |5 ]這時候就要考慮其hot-electron的效應,
: _! b5 I* _# W% |5 f6 _5 U2 O因為單位面積的current可能滿大的,# P: a7 |. U4 Y! i
而vgd也不小。
4 P0 S- f0 j; v- I% s B; X8 n6 l
) E7 j3 K) M: H. a(3) 如果gate=darin=high-voltage,' }* K6 c$ A9 Y& B
這樣的單位電流會大到不行吧!2 [, n3 C- T* J! p9 C _5 k- Q
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2) M" [' l" @1 \$ k- z, B
- B# S% k( F$ \% t. P& j所以通常是case2會是要考慮的問題,
3 J6 k9 c9 m0 z) b. I不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
( T8 ]4 b4 z3 k& on.n |
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