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老實說,
' ~( g$ ~3 W; v2 J! s你問的問題很廣,8 F9 u$ y; Z& q8 `1 I( f
會根據不一樣的條件,
( x" T! s _$ @3 n' n) e( F( N而有不同的答案。
$ ?, z2 _5 @" N
3 p5 f! f) f. p& N d, x以nmos,body=source=ground的例子來說,
' b) {1 n p- |- N8 q. O
; s1 a7 C* y" i. X/ S& W; B5 [(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
! V6 V* {* {$ }0 j7 D如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,+ C2 @* q# }: v* _' ~3 O- f+ @, m
一般來說,應該不會,
1 `+ H+ ~* @4 `因為SiO2的critical electric field滿大的,8 l M% t" a2 W$ ]
3.3V device gate oxide還滿厚的。
4 z) I7 N: e) N$ `, A9 u" C% r5 B9 a4 Qvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
3 j9 T. v0 H/ p8 J& `# ~, p這個值通常很大,& C" r5 f8 D( ]2 q' V" ?
因為body=source=ground。
$ n+ v# W, v2 H# {0 L( x另外,如果channel length比較短,
% R8 y7 M; M3 I9 N1 i這個值 "可能" 會跟channel length有關,4 u& x3 d1 y+ Z( M: G
但如果channel length大到某種程度後,) ^* v! o ^! v8 C
應該也沒影響力了。1 E+ `1 T2 G7 G2 B( @
0 t. U( I: q J0 x
(2) 如果gate=bias voltage,
$ g# T3 p( W) Z7 I. {$ L這顆nmos可能當current source使用," y ?" t6 e/ E$ V6 ?: }; u% g
這時候就要考慮其hot-electron的效應,: B0 r5 O( \' j+ P
因為單位面積的current可能滿大的,; ?( W+ F4 e. D3 ^
而vgd也不小。
4 \5 L$ e5 H, A* l/ c8 r( z3 m
" H8 f, c: q. A2 m U, s* G9 B(3) 如果gate=darin=high-voltage,1 l% @7 [) \0 ]) n/ K
這樣的單位電流會大到不行吧!# s( F# L5 f7 R. C) c% s
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
& Q6 ~4 K$ F1 x8 U0 c1 @" @" `, V) |2 m2 c0 ^
所以通常是case2會是要考慮的問題,- G5 F, J( ^# H* D
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。6 ?" z' f* V, J) s
n.n |
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