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[問題求助] 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

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1#
發表於 2010-4-12 18:07:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
若是NMOS做的電容
+ e# A  q! V' y1 x( F/ Q8 l上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態9 `5 l3 V6 D; X3 Q3 B/ `6 ?
1,通道未型成時
" T: w( L! Z; c2,三極管區9 S. V8 a2 r) l! x9 ^/ \( G
3,飽和區
4 Y$ G# a0 D* P, Y但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
/ l2 W, ]1 j/ [這樣是操作在哪一狀態呢???
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2#
發表於 2010-5-3 20:21:49 | 只看該作者
3,飽和區$ V# s( {& Q2 {
通常 depletion 都要形成,電容值才會穩定
9 o6 j: r: w! |/ z1 J  a- L所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn , 2 p- k  {2 h# ^: [" p6 j7 K
如果想要使用雙向電容的話,可以用 barrier N+ , let mos always turn on.
3#
發表於 2010-5-5 10:56:09 | 只看該作者
通常應該是工作在  (2,三極管區),因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起,Vgs=Vgd,所以是在三極管區,在電路設計上,MOS電容通常是由W和L的面積算出來的,但會非常不準,通常是用在穩壓用,而且在不同的電壓時,電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章),要大於Vth後電容值才會較穩定,且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。
4#
發表於 2010-5-5 11:01:14 | 只看該作者
工作在反型层 状态
5#
發表於 2010-5-28 00:17:31 | 只看該作者
example for NMOS :2 o  O9 x* c' z3 x# [, ~! y, X
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion% ]  U$ T5 y% Q, [0 b  c$ i
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation0 w' o: r; ?, D( [! M! J7 M
# A8 {+ w1 ?7 B9 h
You can see Razavi Chap2 pp. 39
1 Q4 n- a! N2 vGood Luck ~ !
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