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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS- N0 g; ?' A9 I' s$ p7 O9 J
工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
) U" E# y+ d7 F6 A4 {4 H一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，# J- |' ]% `: s; h. d
激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝: q8 c& x# |4 c( c

5 u4 }% P. q: p1 b' b! I簡單說一下我的心得，
( s  u! |# m* s- ^1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流$ b7 a5 v6 o2 h
   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE( {8 A2 p; h9 s7 \
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron$ A$ L( ]% V* G% n" s8 _
3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法6 @5 V4 [8 h/ v8 S; z* Y2 c, {7 F7 f
: X4 a  s8 L1 a: j' @
那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
# m. B* b- k! X* `$ |- x, O' u: d: I4 |" ^* e$ H1 P& ]
那種比較好... 我也不清楚哩!
0 c; o" t, U- V2 i- G- H1 Hshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM

1 t/ F& S9 u8 h5 y/ D+ b" j% @0 g9 |. j* N
0 j/ |' `* W" e
    我也想知道那一個比較好) O7 g+ \# \. g- d9 [- r$ w- @, Z1 i
   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~& O8 l' o% Y2 d# X  y
相同製程不家的MOS的參數變化不一~
4 A  {& X) C3 l5 w- u! {  A5 G- R即代表I-V CURRENT
8 `# G  t8 o  o! j) o! K% j' ?所以我覺得好像不是看畫法/ j0 E$ f/ \  D+ P3 h$ Z* V
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
8 t1 r6 @' I. m& @: n7 X: r- o+ G# C0 S; c8 c
呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu
$ Z" ^7 a; U( X( K
; P# O; v' F4 }: Z+ a# w, n% S" e這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!
1 W! B0 _7 }) {3 g6 I/ C' k可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj
" E+ q: E/ X" h6 `- d3 `8 R* _9 _! K* [0 a& L4 @3 N0 T
+ q; n' J5 H7 b3 W( k* ?) g. }' F
    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?
% L% G: ^& B: O& D. ?  ]感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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