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老實說,
; p4 b+ k' ~+ y$ o你問的問題很廣,# s* H, p, o) A
會根據不一樣的條件,/ `# }' N4 f- X3 ]6 H
而有不同的答案。
2 l# B2 ^* R0 Q+ k2 j
+ |* _7 ?, ~, ~以nmos,body=source=ground的例子來說,' }2 D' G* ]1 N' H9 P
6 ]) N6 S2 s4 A3 b, L3 \$ D(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
M" m# l4 r" G8 y如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,; ]! P/ H2 C" E" ]2 R5 w- ^% D
一般來說,應該不會,# N7 m6 Z2 [( \
因為SiO2的critical electric field滿大的,7 I+ P b7 x) r9 B" d
3.3V device gate oxide還滿厚的。4 [$ e' U$ O; \
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
4 I8 ~" c* e5 R! a# y! ^7 y這個值通常很大,
1 B* H8 K0 S5 S/ r* L' A因為body=source=ground。& G" i( l; b& J
另外,如果channel length比較短,
( e* v8 ~1 O7 F" |3 o這個值 "可能" 會跟channel length有關,7 |! Z! _& ~# z$ E( r% Y
但如果channel length大到某種程度後,
9 Y; _( J* G! D8 M" E+ m3 h# p3 J5 p應該也沒影響力了。4 f5 a+ a) T4 v- X. F
% }- m$ b9 n* m, _% O9 n) S: o9 G4 a. Q
(2) 如果gate=bias voltage,+ g8 B2 @: h9 o( n5 w
這顆nmos可能當current source使用,
. a" F4 x) @. c! a4 {7 p! \3 _這時候就要考慮其hot-electron的效應,. D) y% d! M6 G4 b, J" l: c( W
因為單位面積的current可能滿大的,
6 L9 h; W, q( M而vgd也不小。
F$ O. N" @1 m% J8 m3 G0 y# o. l# c8 a4 L0 D
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
6 S8 Y! j3 @ e這樣的單位電流會大到不行吧!' E- Y$ q' x/ G# K9 s
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2+ P; P6 @0 k5 ~% a I
* X% N9 r3 i. ~2 V
所以通常是case2會是要考慮的問題,
- t* a" J2 U4 m1 ]0 X, F" n不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
, t; t a) k* ^( i. d% Q+ Zn.n |
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