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老實說,2 Q+ m# K) K4 C8 ?8 R
你問的問題很廣,
5 M1 j- t& l2 r! d會根據不一樣的條件,' N" \, @. e [/ ^; f6 E
而有不同的答案。0 `# z" S6 W; z/ \% @
; O o8 Q" b# X
以nmos,body=source=ground的例子來說,
0 q) `3 P' q0 x
7 h- @" m/ T8 E# `3 z(1) 如果gate=ground,nmos turn off,9 r! M3 A2 Y0 ]4 @4 D
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,2 t* D* x) V3 }& m. K2 L6 \# V
一般來說,應該不會,
; h& v# b. q7 Q9 m* U$ E因為SiO2的critical electric field滿大的,
% X; f& M5 ~% ?/ u* P3.3V device gate oxide還滿厚的。# K( Y8 P P* h2 |
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,/ |, U8 J" T5 M* \
這個值通常很大,6 j0 X/ j) H' N. G L
因為body=source=ground。
' C6 u5 m5 H! {' T" U% W另外,如果channel length比較短,6 F# ?' R1 m5 t. L; I% k) D
這個值 "可能" 會跟channel length有關,3 s+ x& s* h, n' F+ s; z
但如果channel length大到某種程度後,
9 t0 i3 t/ Q. Q$ h' z7 W5 }& W* C& A應該也沒影響力了。% ~* h) P3 p' X( `3 [
6 C1 ~; q2 K/ Y- B& q4 x. \$ @(2) 如果gate=bias voltage,! a% ~' x, z- S7 y
這顆nmos可能當current source使用,
t2 H; w" F4 Q這時候就要考慮其hot-electron的效應,
; V+ J* F8 C8 V7 q因為單位面積的current可能滿大的,
/ u$ `- A# v, Z* |而vgd也不小。2 ?' ]! X* G5 J, {0 |# J
9 T+ ~1 \7 T% S$ ?0 ~0 b% L: `* N(3) 如果gate=darin=high-voltage,
0 E. w* C) z! |) L* y這樣的單位電流會大到不行吧!
3 x3 y% h8 f! k+ rId = kn'W/L * (vgs-vt)2
; m3 V% p6 ]) A3 o2 m1 x9 |2 Y; D9 C- b& H P* p7 ^
所以通常是case2會是要考慮的問題, L, h) k; X3 W5 g' G0 Z% o
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
3 X6 \' x K& [2 ^n.n |
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