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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變. K5 @# _6 l# f4 y7 `( D. d
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
" E6 y: w9 ?. _netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
; |! M. c: b% f# |( p  i; J是否有問題.
0 t4 g) ?2 x7 g% I; |+ bps. 1  error report是  
4 V1 s9 n5 y7 w2 B0 e******************************************************************************' ~: i4 q1 ^, o: l' I
                                 INCORRECT INSTANCES
0 s0 E1 n( b5 `0 r( G6 y& T1 D
. [. R9 i& @( R. d! lDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
# d3 E( m* n6 O: T/ Q*******************************************************************************
( w6 b1 S! @& i; P4 p! L$ P" w9 I
" H% a1 I. A* l. s  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
* }' X- k0 m! \0 \. k2 S1 a$ \9 o! g) }
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋  v: }& G( _0 D3 j6 H
  x' a8 S( B9 y% D2 k
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,: K8 j& v; L3 G- Y' y9 R+ c
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
4 a1 i# ?7 A9 G2 {這個問題.
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣6 D5 z+ Y9 @# s; ^2 M
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
' Q4 t  D) Y/ R2 s, ]* p6 o; ]4 R2 Fnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)) t) N# c$ v% [
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用) k& H4 S: v7 v$ {  U8 d5 w4 }
"nmoscap",這樣是否可以./ s+ m% R  E- H% w
我在netlist file上這樣描述,
( Q4 Z7 u, e! ^XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
0 Q; K" U) S+ h/ Y5 k$ \然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
5 ]6 n& d" m) P8 F這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
0 Y5 G5 B3 Z# S* Z- y) N6 h2 n4 D( M加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!$ ]' X$ ?8 G! l
這個電容有許多人用過!!9 o% d* c- t. ~" G
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
9 }0 P- c" j4 q( f) x$ D東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring7 M0 M/ r5 k' h4 q
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
, D8 l! e& D& q6 Z" ?+ w+ B東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
3 D' `/ G4 C. b( o4 \/ g另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
0 ]8 a. _* a' g' Y/ ]人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態4 o( N: s* Q- ^; T# r8 `
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
' y; A8 H$ E; D! x) X卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
# J# U( v+ u; O5 w. Q8 }所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file  e1 c, {: H) d/ |6 {+ J
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion/ y. z- X& |- ]  [
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,! b6 D/ c$ h- o+ K8 N
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos. `; E9 [2 v9 W
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓& y* U+ @: u  F7 d* d$ [
command去認它.
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!  _, X$ K9 {: I2 m
所以  不能以  NMOS 建圖!!
2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測; u" _1 B! D3 V# ?3 A4 \( f
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
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