請教nmos in nwell的問題

sw5722 · 發表於 2007-11-16 11:08:03

這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
是否有問題.
ps. 1  error report是
******************************************************************************
                              INCORRECT INSTANCES

DISC#  LAYOUT NAME                                        ne  SOURCE NAME
*******************************************************************************

  1 ** missing instance **                                  MC  MN(N)

只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋

ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
   會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)

m851055 · 發表於 2007-11-18 06:14:51

從你的PS上猜測
應該是device name對不到，檢查看看netlist的device name，如果是就修改LVS command files就好了。

sjhor · 發表於 2007-11-19 09:46:06

如此結構不能說是 NMOS 只能說是 Capacitor!!
所以不能以 NMOS 建圖!!

sw5722 · 發表於 2007-11-19 17:34:48

因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
command去認它.

sw5722 · 發表於 2007-11-20 12:01:43

從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.

sjhor · 發表於 2007-11-20 15:47:30

原則上這個電容是可以用的!!
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
這個電容有許多人用過!!
早期沒有 Double poly 電容的時候!! 有相當多的人在用!!

sw5722 · 發表於 2007-11-21 10:33:05

基本上command flie的描述是這樣
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
nmoscap 1.8V NMOS Varactor (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
"nmoscap",這樣是否可以.
我在netlist file上這樣描述,
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.

sw5722 · 發表於 2007-11-22 14:00:20

謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
這個問題.

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