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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 5 w4 B* t) Q) V9 g2 u- z
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
4 B) i) n( Z; S( w/ r1 s不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的! o, X. }1 L8 [4 g
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是& x% R) |# {2 C) |! S8 r" X3 W+ U
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
' F  V9 z4 B$ V. b3 y, @如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
4 p4 M) C2 Q9 D! bVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
; R; y6 h; u" }6 b. V電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1 1 h4 @- s1 N9 e9 Z8 H) j8 S, g: _
7 f  Y2 }3 D( _
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 1 p+ K" R: n- p: @- c/ Q
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, ; i  }3 D0 Y2 e5 A* t) d/ l# \0 C1 ]
# y/ |$ F: R& H6 ?; ^* p1 f
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
# j7 v6 f! H7 v/ L+ D8 jvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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