op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過
( G  f. ~! h) |/ K9 H( d1 ^5 m
依然還是一樣的錯誤訊息！

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
, ^) W% W! F0 R' c8 g. b這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
4 O. c8 ]: e2 w' Y' h& ?
類比電路果然難理解
8 h& D9 c, d  s
希望大家能幫幫我的忙唄！！！

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
+ W2 x- e% u* Z5 D$ k( W; G但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
1 w) s6 G2 X; t/ x這就是樓上說的LATCH-UP的問題

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
; B2 k& A  `+ t$ B/ {簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
1 s0 t. h$ B- @( |2 W( d1 P: Q3 O加 N+DIFF ㄉ地方

以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

m851055

OD=Active=Diffusion

# z$ G* L, A0 a6 i" X! p7 C1 z在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

egg

這條是check latch-up的drc rule
6 I; T# r( B& p2 ]0 R是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
' A$ i4 x  P. A2 a. Y就會解掉這條了

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
( }9 H* {5 _- \2 e
這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
% H& a* e- x* q7 u
OD是什麼意思？
; v$ j- y4 I8 G( a3 q0 A5 ^P-well不是nmos的p基體嗎？

0 ^& N+ a& b# u: _) W! u不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。