op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

依然還是一樣的錯誤訊息！

! e; F' T% B6 p7 n( z& \+ BLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
% o+ |: f9 |! }這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

8 b3 t. p& {3 S% P) h  r; F類比電路果然難理解
9 ~8 ?( J! M0 o, k
希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
& [- l) v4 x5 V: w* o在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
# y( j( R- Z9 v' A4 w9 k4 h
9 m/ p: h  z$ e4 T3 }這個我有點看不懂是什麼意思！
: U4 [6 Y6 j. z. S9 a可以在詳細講明白一點嗎!!!
" Q4 P8 H/ E) i3 B$ u7 F$ p+ _
2 R& {- ?8 b8 ^: T) |OD是什麼意思？
2 F1 P" P$ g% x  JP-well不是nmos的p基體嗎？

不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
+ G+ l( S$ E, z5 m6 Q20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
% U/ y) z2 O3 r
在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方

以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
* K3 A. N9 u' h就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解