Power MOS架構問題

libra3333

有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。
0 ?) J3 e6 a; J* N9 Z4 W4 B2 {$ N) }

edengod

左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
3 j! d+ M3 q3 n1 vPOLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
+ W- [! P% B2 U( C- D+ e17*10-5*5=145
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
) B" |3 A- w+ T, L看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
就這樣子

sjhor

通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!
& r/ N4 b2 l- S. ^+ J# F口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
9 s9 I3 p, K- {若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!

bowbow99

Rds(on) 是什麼？？
, [- a4 F/ ?$ y- e5 I6 O8 r- _/ t怎麼判斷Rds(on)？

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。