DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
  `* s9 u- T& C$ x   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
2 z; _  L& h( i6 A7 h}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
. z0 n( a  [! Y; K8 t}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
/ L0 {# L; `+ y% d1 e如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
$ ^, a" ]$ K0 [5 O2 w8 [+ JPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
7 i4 L: E  U8 _( u+ FM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
2 h: i1 ^6 W# ]7 `M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
( y6 ]7 S- _: P' E4 a! o$ UPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子